Ante las crecientes limitaciones impuestas por Estados Unidos a las exportaciones hacia China, los científicos chinos continúan progresando en el desarrollo de chips de última generación.
Un equipo del Instituto de Tecnología de Harbin ha desarrollado un novedoso método para la litografía ultravioleta extrema (EUV), una tecnología clave en la producción de semiconductores avanzados.
Este importante logro representa un paso más para que China logre la autosuficiencia tecnológica en un sector actualmente controlado por empresas extranjeras, como la holandesa ASML, la única compañía en el mundo que fabrica equipos EUV.
El proyecto, titulado “Fuente de luz de litografía ultravioleta extrema de plasma de descarga”, liderado por el profesor Zhao Yongpeng, ha demostrado ser una alternativa más eficiente y de menor costo en comparación con los métodos convencionales. Este desarrollo fue reconocido con el primer premio en el Concurso Provincial de Transformación de Logros de Innovación de Harbin, celebrado el 30 de diciembre.
Las sanciones de Estados Unidos a China han limitado el acceso del país asiático a equipos críticos para la producción de chips avanzados, bloqueando la compra de máquinas de litografía EUV desde 2019. Sin embargo, el método chino, basado en plasma de descarga inducida por láser (LDP), representa una alternativa viable. A diferencia de la tecnología LPP utilizada por ASML, el enfoque LDP simplifica el proceso al vaporizar pequeñas cantidades de estaño mediante un láser y aplicar alto voltaje para generar el plasma necesario.
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